損耗角正切(TAN)
這是一個(gè)在電容器的能量損耗的丈量。它表明，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無(wú)功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語(yǔ)是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS(90 - )是真正的功率因數(shù)。 “運(yùn)用丈量進(jìn)行丈量譚橋梁，提供一個(gè)0.5V RMS120Hz的正弦信號(hào)，免費(fèi)諧波的2.2Vdc的成見(jiàn)。
耗散因數(shù)(D.F.)。
耗散因數(shù)丈量的切線損耗角(TAN)，以百分比表明。丈量DF是開(kāi)展丈量橋梁供給一個(gè)0.5V RMS120Hz的正弦信號(hào)，免費(fèi)諧波與成見(jiàn)2.2Vdc。 DF值是溫度和頻率依賴性。留意：關(guān)于外表貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF值表明的收視率表是很重要請(qǐng)留意，這些限額會(huì)見(jiàn)了由組件后基板上焊接。
耗散因數(shù)的頻率依賴性
跟著頻率的添加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap廬電容器的典型曲線相同的：
耗散與溫度的聯(lián)系
耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線扮演。這些地塊是鉭和OxiCap相同?電容器。關(guān)于最高限額，請(qǐng)參閱的評(píng)分表。
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個(gè)要素促成了鉭電容器的阻抗;半導(dǎo)體層的電阻電容價(jià)值和電極和引線電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個(gè)約束要素。溫度和頻率的行為確認(rèn)這三個(gè)要素的阻抗行為阻抗Z。阻抗是在25° C和100kHz。
AVX鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR。
阻力丟失發(fā)生在全部可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包含電阻元件和觸點(diǎn)，粘性實(shí)力內(nèi)介質(zhì)和出產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些丟失的影響視為電容的ESR。 ESR的頻率依賴性和可利用的聯(lián)系;ESR=譚δ2πfC其間F是赫茲的頻率，C是電容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的丈量。ESR是阻抗的要素之一，在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導(dǎo)要素。然后ESR和阻抗簡(jiǎn)直成了相同，阻抗僅小幅走高。
AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴性。
ESR和阻抗都隨頻率的添加。在較低頻率值作為額外的奉獻(xiàn)不合阻抗(因?yàn)殡娙萜鞯碾娍?變得愈加重要。除了1MHz的(和超越電容的諧振點(diǎn))阻抗再次添加因?yàn)殡姼?，電容的。典型ESR和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物資料，然后在相同的圖表都有用鉭電容和OxiCap?電容器。
AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的聯(lián)系
和ESR。在100kHz，阻抗和ESR的行為相同，跟著溫度的升高下降的典型曲線
鉭電容的浪涌電壓
是指電容在很短的時(shí)刻通過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC國(guó)家1KΩ)能接受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)刻內(nèi)可到達(dá)高達(dá)10倍額度電壓并高達(dá)30秒的時(shí)刻。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路規(guī)劃的依據(jù)，在正常運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程中，電容應(yīng)定時(shí)充電和放電。
不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時(shí)，分類電壓VC等于額外電壓VR，浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍;在85到125度時(shí)，分類電壓VC等于額外電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類電壓VC的1.3倍。
AVX鉭電容能接受的電壓和電流浪涌才能是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過(guò)電介質(zhì)，然后破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的鉭電容在額外電壓運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，有一個(gè)167千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因此一定要保證整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì)超越規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為鉭電容負(fù)極板層運(yùn)用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈才能。但是，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器或許被浪涌電流擊穿。降壓的電容，添加了元件的可靠性。AVX公司引薦降級(jí)表“(第119頁(yè))總結(jié)額外電壓運(yùn)用上常見(jiàn)的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，維護(hù)電阻建議為1Ω/ V。假如達(dá)不到此要求應(yīng)運(yùn)用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%。在這種情況下，或許需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A系列組合應(yīng)被用來(lái)添加作業(yè)電壓的等效電容器：例如，兩個(gè)22μF25V系列部分相當(dāng)于一個(gè)11μF50V的一部分。
鉭電容的反向電壓
AVX鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的約束的，具體如下：
在1.0V 25° C條件下最大為10%的額外直流作業(yè)電壓
在0.5V 85° C條件下最大為3%的額外直流作業(yè)電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1%的額外直流作業(yè)電壓
反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)刻上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些約束是假定鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向作業(yè)壽數(shù)。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深入的波形的一小部分。接連施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。在在何種情況下接連反向應(yīng)用電壓或許會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)類似的電容應(yīng)選用與負(fù)端接背回裝備連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在開(kāi)始幾個(gè)周期內(nèi)，電容或許的辦法完好的標(biāo)稱值。反向電壓等級(jí)的規(guī)劃蓋小等級(jí)游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引用的值是不計(jì)劃掩蓋接連的反向操作。
鉭電容的疊加溝通電壓(Vr.m.s.)------又稱紋波電壓
這是最大的r.m.s.溝通電壓;疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超越該類別電壓，v.c.第2節(jié)中的全部細(xì)節(jié)
鉭電容的成型電壓。
這是在陽(yáng)極氧化構(gòu)成的電壓。 “這個(gè)氧化層的厚度是構(gòu)成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額外電壓的一個(gè)要素。
AVX鉭電容的頻率特性
咱們知道每種電容都有它的頻率特性,那么
AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?
AVX鉭電容跟著頻率的添加有用電容的值會(huì)減小，直到共振到達(dá)(一般視0.5 - 5MHz的之間該評(píng)級(jí))。除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz的電容持續(xù)下降。
下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF 10V標(biāo)準(zhǔn)為例,來(lái)說(shuō)明鉭電容的頻率特性.
